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市场 > MOCVD > AIXTRON > AIX G5+ C

AIX G5+ C

类别
MOCVD
概述

AIX G5+ C Planetary Reactor for GaN on 150/200 mm Si GaN on Si HEMT thickness uniformity 0.44 % standard deviation without edge exclusion. Mean thickness 3.37 µm.

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服务

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